10月23日,三安光电(600703)宣布,旗下湖南三安在碳化硅产品上再取得阶段性进展,实现了8英寸衬底准量产,部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
新能源汽车产业快速发展,车规功率半导体需求量激增,碳化硅器件凭借耐高压、耐高温、低损耗等优越性能,已成为新能源汽车所需的关键元器件,然而国内车规级碳化硅器件还急需突破大规模制造能力。
三安光电介绍,在大尺寸碳化硅衬底方面,湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发,依托精准热场控制的自主PVT工艺,实现了更低成本及更低缺陷密度,产品进入小批量生产及送样阶段,后续公司将继续注重良率提升,加快设备调试与工艺优化,并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。
在碳化硅MOSFET方面,公司推出了650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品,具有高性能、高一致性和高可靠性等优点,并可根据客制化要求提供多种灵活工艺方案。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源,1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC,两款产品均已处于客户端导入阶段,将逐步批量供货;1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。
在产业合作方面,湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体(重庆)有限公司,专门生产8英寸碳化硅晶圆,该项目前期相关审批事项已成功获批,各项工作有序推进,预计2025年完成阶段性建设并投产,2028年实现达产。
为确保合资公司原材料供应,三安还将利用自有的SiC衬底工艺,单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂, 以满足该合资厂的衬底需求。业内专家认为,此举将大幅提升三安光电在碳化硅产业链的制造实力和综合竞争力,并将有力保障我国新能源汽车产业链供应链安全。
来源:上海证券报.中国证券网
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